ACS Appl. Mater. Interfaces：基于Ti3C2MXene氧化物纳米片的电阻记忆和突触学习应用
一、文章概述
MXene是一种新的二维(2D)纳米材料，因其优良的电气、机械和化学支撑而引起了工业界和学术界的极大兴趣。然而，基于mxene的器件工程很少被报道。在本研究中，作者通过工程顶部电极，探索了Ti3C2MXene在数字和模拟计算中的应用。为此，采用简单的化学工艺合成了Ti3C2MXene，利用各种分析工具研究了其结构、组成和形态特性。最后，作者探讨了其在双极电阻开关(RS)和突触学习设备中的潜在应用。深入研究了顶部电极(Ag、Pt和Al)对Ti3C2mxene基存储器件的RS特性的影响。与Ag和Pt顶部的电解基装置相比，Al/Ti3C2/Pt器件表现出更好的RS，操作更可靠。因此，作者选择了Al/Ti3C2/Pt记忆器件来模拟增强和抑制突触特性，以及基于峰值时间依赖的可塑性的Hebbian学习规则。
二、图文导读
图1.(a)Ti3AlC2和Ti3C2MXene的XRD和拉曼光谱。
上图中，(a)是Ti3AlC2(HF蚀刻前)和Ti3C2MXene(HF蚀刻后)的光谱；(b)是在5−10°的2θ范围内的XRD光谱；(c)是Ti3AlC2和Ti3C2MXene的拉曼光谱。
图2.Ti3C2纳米片的SEM、EDS元素图以及EDS图谱。
图3 .Ti3C2MXene器件的电极依赖性和内存保留性。
图4.突触特性和基于STDP的增强和抑制。
图5.Ag/Ti3C2/Pt、Pt/Ti3C2/Pt和Al/Ti3C2/Pt器件可能的丝状RS机制。
三、全文总结
综上所述，我们研究了不同TEs对Ti3C2MXene记忆细胞RS特性的影响，并使用优化后的设备来模拟突触特性。电学表征结果表明，Al/Ti3C2/Pt存储器件的RS性能优于Ag/Ti3C2/Pt和Pt/Ti3C2/Pt内存设备。有趣的是，所有基于mxene的设备都表现出双值q−φ行为，表明具有主要的记忆效应。与其他两种器件相比，Al/Ti3C2/Pt记忆器件表现出良好的记忆窗口、RS期间的适度变化和良好的记忆保留能力。
文章链接：
https://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c19028
| 温馨提示：苏州北科纳米供应产品仅用于科研，不能用于人体,不同批次产品规格性能有差异。网站部分文献案例图片源自互联网，图片仅供参考，请以实物为主，如有侵权请联系我们立即删除。 |
下一篇： 纳米医学产品1
