MoS2/TiS3三硫化钛 二硫化钼异质结
基底： 300nm氧化层硅片，5um等距金电极
结构：先剥离单层MoS2到指定位置，然后转移少层TiS3三硫化钛到MoS2位置上，形成MoS2-TiS3/MoS2-TiS3 三个区域。可分别对单独的两种材料和异质结进行FET性质测试。
留言咨询
|
| 温馨提示：苏州北科纳米供应产品仅用于科研，不能用于人体,不同批次产品规格性能有差异。网站部分文献案例图片源自互联网，图片仅供参考，请以实物为主，如有侵权请联系我们立即删除。 |
上一款： 没有了...
下一款： 黑磷/InSe 异质结
苏公网安备32059002005573 苏ICP备2020067807号-1 