材料名称:AgInP2Se6
性质分类:拓扑材料,半导体,红外材料,非线性材料,铁电材料
禁带宽度:0.622 eV
合成方法:CVT
剥离难易程度:易
保存注意事项:晶体稳定,不需要特殊保存
参考文献:
A. Dziaugys, J. Banys, J. Macutkevic & Ju. Vysochanskii (2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals,Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718
材料结构:
能带结构
EDS能谱定性测试元素成分
高结晶性XRD
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