材料名称:Ag2Te
性质分类:拓扑绝缘体,热电材料,红外材料,离子导体
禁带宽度:0 eV
合成方法:CVT
晶体结构:monoclinic
剥离难易程度:难
参考文献
1,Miyatani, Shin-ya. "Ionic Conduction in β-Ag2Te and β-Ag2Se." Journal of the Physical Society of Japan 14.8 (1959): 996-1002.
2,Tregouet, Y., and J. C. Bernede. "Silver movements in Ag2Te thin films: switching and memory effects." Thin Solid Films 57.1 (1979): 49-54.
3,Zhang, Wei, et al. "Topological Aspect and Quantum Magnetoresistance of β− Ag 2 Te." Physical review letters 106.15 (2011): 156808.
晶体结构和能带结构:
EDS元素分析:
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