2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂）
性能参数：
| 产品型号 | GaN-T-C-U-C50 |
| 尺寸 | 50.8 ± 1 mm |
| 厚度 | 350 ± 25 μm |
| 晶体取向 | C-plane(0001) ± 0.5° |
| 导电类型 | N-type(Undoped) |
| 电阻率（300 K） | < 0.5 Ω·cm for N-type (Undoped; GaN-FS-C-U-C50) |
| 载流子浓度 | < 5x1017cm-3 |
| 迁移率 | ~ 300cm2/V•s |
| 位错密度 | Less than 5x108 cm-2(estimated by FWHMs of XRD) |
| 衬底结构 | GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP) |
| 有效面积 | >90% |
| 包装 |
Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs or single container , under a nitrogen atmosphere. |
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