名称:ReSe2 二硒化铼(1g)粉体
晶体种类:
半导体材料,各向异性材料,拓扑材料
纯度:
>99.999 %
表征方法:
EDS,SEM,Raman
bandgap
1.3eV
注意事项 晶体稳定,注意表面防氧化
参考文献:
1, Jariwala, Bhakti, et al. "Synthesis and characterization of ReS2 and ReSe2 layered chalcogenide single crystals." Chemistry of Materials 28.10 (2016): 3352-3359.
2,Arora, Ashish, et al. "Highly Anisotropic in-Plane Excitons in Atomically Thin and Bulklike 1 T′-ReSe2." Nano letters 17.5 (2017): 3202-3207.
3,Wang, Ran, et al. "Dual‐Enhanced Doping in ReSe2 for Efficiently Photoenhanced Hydrogen Evolution Reaction." Advanced Science (2020): 2000216.
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