TSV通孔
TSV技术（穿透硅通孔技术），一般简称硅通孔技术，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。北科纳米掌握TSV最新技术，能够帮助客户完成TSV个性化要求。
技术应用
TSV技术作为微电子制造最具前途的技术之一，目前已经广泛应用于MEMS器件，存储器，图像传感器，功率放大器，生物应用设备和多种手机芯片。
工艺能力
通孔直径: 20-30um 深宽比：10:1 通孔材料：铜，金 通孔状态：实心孔，空心孔
我们的优势
图形可定制 通孔良率高 可批量生产 工艺技术成熟
案例展示
留言咨询
|
| 温馨提示：苏州北科纳米供应产品仅用于科研，不能用于人体,不同批次产品规格性能有差异。网站部分文献案例图片源自互联网，图片仅供参考，请以实物为主，如有侵权请联系我们立即删除。 |
苏公网安备32059002005573 苏ICP备2020067807号-1 