光刻工艺
光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构，再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。北科纳米目前掌握电子束光刻，步进式光刻，接触式光刻等多种光刻技术.
技术应用
光刻技术主要应用于半导体器件，集成电路制造过程中。
工艺能力
电子束光刻：最小线宽50nm,精度可达10%。 步进式光刻：stepper i7/i10/i12，最小线宽350nm，曝光误差±0.1um，最大曝光面积6英寸。 接触、接近式光刻：MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，曝光误差±0.5um
我们的优势
根据客户需求，定制最具性价比光刻方案 精度高，线宽小 衬底尺寸范围1cm至6英寸 图形保真度高
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